6月30日（星期一）消息，国外知名科学网站的主要内容如下：《自然》网站（www.nature.com）利用AI构建虚拟细胞，科学家竞相模拟生命最小单元科学家正致力于利用人工智能（AI）构建虚拟细胞，旨在颠覆传统细胞生物学的研究模式。目前，该领域90%的工作依赖实验，而未来的目标是将计算模型提升至主导地位，使实验主要用于验证预测结果。虚拟细胞模型能够快速生成实验需数周才能获得的结果，例如预测肿瘤细胞对药物的反应，从而加速疾病研究和药物开发。全球多个机构已投入这一领域。美国非盈利基金会陈·扎克伯格倡议（CZI）计划未来十年投资数亿美元，谷歌DeepMind也启动了相关项目。瑞典生命科学实验室的“Alpha Cell”项目将于2026年推出，旨在验证虚拟细胞的可行性。计算机模拟细胞行为并非新概念。2012年，科学家首次构建了完整细菌细胞的模型。如今，AI技术的进步使得数据驱动建模成为可能，尤其是单细胞测序数据的爆发式增长。CZI计划构建包含10亿细胞的数据集，美国Arc研究所（Arc Institute）则发布了1亿个经药物处理的癌细胞的测序数据，为训练AI模型提供基础。尽管如此，现有模型仍存在局限性。例如，部分单细胞AI模型在新数据测试中表现不佳，难以推广到未训练的场景。科学家指出，未来虚拟细胞需整合更多数据类型，如光学和电子显微成像，以更全面地模拟细胞动态。《科学通讯》网站（www.sciencenews.org）比热浪更可怕？科学家警告长期高温的致命威胁近几周，极端热浪席卷美国、中国和欧洲，但科学家警示，长期性高温同样危害严重。在一些地区，气温可能持续数月偏高却未达热浪标准，这种慢性高温可能导致肾功能障碍、睡眠呼吸暂停和抑郁症等健康问题。美国迈阿密大学的研究团队指出，目前关于长期高温累积影响的研究仍严重不足。专家表示，气候变化导致全球高温天数增加，亟需加强相关研究。热浪通常定义为日温超过某阈值的时段，但在热带和亚热带地区，基准温度本身可能已处于危险水平。美国迈阿密的热指数（综合湿度与气温的体感温度）全年半数日子可达32°C（90°F）。最直接的证据来自对中美洲农业工人研究，表明长期高温工作环境与慢性肾病相关。提供饮水、遮阴和休息可延缓肾功能衰退，但其他健康风险的研究仍有限。华盛顿大学的学者分析季节性高温地区数据后指出，尚无充分证据表明这些地区死亡率更高。然而，长期高温会加剧既有健康问题。美国亚利桑那州立大学的研究表明，高温会改变血液分布，影响与炎症和血液循环相关的疾病。某些药物在高温下可能失效，甚至加重热应激反应，如利尿剂减少体液，部分抗精神病药抑制排汗。此外，城市夜间蓄热会干扰睡眠。研究显示，高温夜晚增加睡眠呼吸暂停风险，全球变暖导致人均每年减少约44小时睡眠，且几乎没有季节性适应。长期睡眠问题可能引发心血管代谢疾病和整体健康下降。高温还会影响认知能力，一项针对美国高中生的研究发现，高温上课日会导致学习效率显著降低。弱势群体受长期高温影响最大，因其难以负担降温资源。迈阿密大学的研究团队强调，目前研究不足的部分原因在于受影响人群常被忽视，而这些群体恰恰是长期高温的主要受害者。随着全球变暖加剧，这一问题将愈发严峻。《每日科学》网站（www.sciencedaily.com）AI从普通胸片“揪出”隐藏脂肪肝，筛查成本直降日本研究人员开发出一款人工智能（AI）系统，能够通过常规胸部X光片检测脂肪肝疾病。这一突破为全球范围内更快速、经济且便捷的脂肪肝筛查提供了新途径。脂肪肝疾病由肝脏脂肪过度堆积引起，全球约四分之一人群受其影响。若不及时干预，可能发展为肝硬化甚至肝癌，因此早期诊断至关重要。目前，脂肪肝的标准检测依赖超声波、CT或MRI，但这些检查成本高且需专业设备。相比之下，胸部X光检查更为普及、价格低廉且辐射量小，尽管其主要用于心肺评估，但图像中也会包含部分肝脏信息。日本大阪公立大学医学研究科的团队利用4414名患者的6599张胸部X光图像，结合受控衰减参数（CAP）评分，训练出一款高精度AI模型。 测试显示，该模型准确度较高，受试者工作特征曲线下面积（AUC）达到0.82至0.83，表明其具备可靠的筛查能力。研究人员表示，基于胸部X光的AI诊断方法有望大幅提升脂肪肝筛查效率，尤其适合医疗资源有限的地区。未来投入临床应用，或将成为早期发现脂肪肝的重要工具。《赛特科技日报》网站（https://scitechdaily.com）科学家研发新型晶体驱动晶体管，性能碾压传统芯片日本东京大学工业科学研究所的科学家近日取得突破性进展，成功研制出一种采用掺镓氧化铟（InGaOx）晶体材料的新型晶体管，有望替代传统硅基芯片。这种晶体管采用全环绕栅极结构设计，控制栅极完全包裹电流通道，显著提升了电子迁移率和长期稳定性，为人工智能和大数据应用带来性能飞跃，并可能延续摩尔定律的生命力。晶体管作为现代电子设备的核心元件，其性能直接影响计算效率。但随着设备微型化，硅基晶体管逐渐面临物理极限。研究团队另辟蹊径，选择具有高度有序晶体结构的掺镓氧化铟作为材料，通过镓掺杂抑制氧空位缺陷，从而减少载流子散射，提高器件可靠性。制造过程中，团队采用原子层沉积技术，将InGaOx薄膜逐原子层沉积在通道区域，再经热处理形成理想晶体结构，最终制成全环绕栅极金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。测试结果显示，该晶体管的电子迁移率达到44.5 cm²/Vs，并在施加应力下持续近三小时中保持稳定，性能优于同类产品。这项研究不仅展示了新材料在晶体管领域的潜力，也为高算力需求的应用场景（如人工智能和大数据处理）提供了更高效的解决方案。未来，这种晶体驱动晶体管或将成为下一代电子设备的关键组件，推动技术革新。（刘春）
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